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北京英飛凌IGBT模塊的相關(guān)檢測
點(diǎn)擊次數(shù):2182 更新時(shí)間:2016-01-22
 
  
  北京英飛凌IGBT模塊判斷極性
  
  首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G)其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。
  
  北京英飛凌IGBT模塊判斷好壞
  
  將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接三菱IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT被阻斷,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷三菱IGBT是好的。
  
  北京英飛凌IGBT模塊檢測注意事項(xiàng)
  
  任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷北京英飛凌IGBT模塊好壞時(shí),一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通,而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。
  
  

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