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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

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專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子器件和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷德國infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國IR，瑞士ABB，英國西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭