SEMIKRON賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL
| 型 號： | SKiiP2013GB172-4DL |
| 報(bào) 價(jià)： | 19999 |
賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DLSKiiP智能功率模塊技術(shù)的主要特征是： * IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度Z小 * 無銅基板技術(shù) * 彈簧壓接技術(shù) * 模塊內(nèi)部的橋臂單元平行分布從而得到很低的雜散電感. 這些技術(shù)特點(diǎn)使得SKiiP智能功率模塊系統(tǒng)能獲得更小的熱阻，更強(qiáng)的熱循環(huán)能力和負(fù)載循環(huán)能力（是普通模塊的5倍）和更小的雜散電感。
詳細(xì)資料：
SKiiP2013GB172-4DL北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL
IC=2000A ;VCES=1700V SKiiP® 3 2-pack-integrated inligent Power System
SKiiP®產(chǎn)品是一款具備優(yōu)秀功率循環(huán)能力的智能功率模塊，而且該智能功率模塊集成驅(qū)動(dòng)電路，并具有過電流保護(hù)，過溫保護(hù)以
及母線過電壓保護(hù)等完善的保護(hù)功能。在風(fēng)力發(fā)電市場中，SKiiP®以其優(yōu)秀的性能以及穩(wěn)定的可靠性被眾多風(fēng)力發(fā)電廠商作為*產(chǎn)品。與該功率組件同步推出的第四代SKiiP® 4系列具備更優(yōu)秀的封裝技術(shù)以及更高的功率密度
SKiiP智能功率模塊技術(shù)的主要特征是：
* IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度zui小
* 無銅基板技術(shù)
* 彈簧壓接技術(shù)
1200V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1213GB123-2DL V3 1200V----1200A
SKIIP1813GB123-3DL V3 1200V----1800A
SKIIP2413GB123-4DL V3 1200V----2400A
SKIIP613GB123-3DUL V3 1200V----600A
1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL 1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW 1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL 1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW 1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL 1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW 1200V----3600A
