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三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

型    號: CM600YE2P-12F
報    價: 1888
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

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