英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3

型號：	FZ1500R33HE3
報(bào) 價：	9999

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3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

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IHM-B module with fast Trench/Field stop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

VCES= 3300V ，IC nom= 1500A / ICRM= 3000A

產(chǎn)品特點(diǎn): 高直流穩(wěn)定；高短路能力；自我限制短路電流；低開關(guān)損耗；的魯棒性；T(vj op)= 150°C；用正溫度系數(shù)低V(cesat)；AlSiC底板增加熱循環(huán)能力；包與CTI > 400；孤立的基板

FZ200R12KF2	FZ200R65KF1	FZ400R65KF1	FZ400R17KE3
FZ300R12KF2	FZ400R12KF2	FZ400R12KS4	FZ400R12KE3
FZ500R12KL4C	FZ600R12KE3	FZ600R17KE3	FZ800R12KE3
FZ600R12KS4	FZ800R12KF4	FZ800R16KF4	FZ800R33KF1
FZ900R12KF5	FZ900R16KF1	FZ1000R12KF4	FZ1000R12KF5
FZ1000R25KF1	FZ1050R12KF4	FZ1200R12KF4	FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4C	FZ1200R16KF4	FZ1200R25KF1	FZ1200R33KF1
FZ800R12KS4	FZ800R33KF2	FZ1200R25KF4	FZ1200R33KF2
FZ1200R33KF1	FZ1600R12KF4	FZ1600R17KF6C	FZ1800R12KF4
FZ1500R25KF1	FZ1800R16KF4	FZ2400R12KF4	FZ2400R17KF6B
FZ3600R12KE3	FZ3600R17KE3	FZ600R65KF1	FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3	FZ2400R12KE3	FZ2400R12KL4C	FZ1600R12KL4C

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