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英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

型號：	FZ1500R33HE3
報價：	18888

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英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
3300V IGBT英飛凌FZ1200R33KF2C

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詳細資料：

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；IPM模塊;電容；驅動板；控制板；半導體功率模塊;變頻器配件

煤礦防爆變頻器IIGBT模塊FZ1200R33KF2C

產(chǎn)品參數(shù)：

IHM B 1700 V 2400A 190 mm 單開關 IGBT 模塊，配有第四代溝槽柵/場終止 IGBT，

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關 IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關損耗和發(fā)射極控制二極管——適用于牽引和工業(yè)應用的解決方案

3300V IGBT模塊型號：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj？

ChatGPT是這樣說的：

要計算IGBT器件的工作結溫Tvj，需要考慮以下幾個因素：

1	IGBT芯片的功率損耗。這個值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說，功率損耗越大，工作結溫就越高。
2	IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說，背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。
3	外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結溫。散熱器的大小、材料以及通風情況都會影響散熱效果。

如果考慮了以上因素后，可以使用以下公式計算IGBT器件的工作結溫Tvj：

Tvj = Ta + Pd*Rthjc

其中， Ta是環(huán)境溫度，Pd是IGBT芯片的功率損耗，Rthjc是芯片與散熱器結合部的熱阻。

需要注意的是，這個公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況，并沒有考慮整個系統(tǒng)的散熱能力。因此，在實際應用中，還需要結合具體的系統(tǒng)情況來確定IGBT器件的工作結溫。

1700V IGBT模塊型號：

FZ1800R17KF4

FZ1200R17KF6C_B2

FZ1600R17KF6C_B2

FZ2400R17KF6C_B2

FZ1200R17KF4

FZ1200R17HE4

FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2

FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4

特征描述

高直流電壓穩(wěn)定性
高短路能力
自限制短路電流
低開關損耗
出色的堅固性
Tvj op = 150°C
低 VCEsat，具有正溫度系數(shù)
鋁碳化硅基板，用于提高熱循環(huán)能力
封裝的 CTI > 600
絕緣基板

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：1700 V

電流 - 集電極 (Ic)：2400 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-62MM

產(chǎn)品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A，1700V半橋模塊

的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）

在過載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

優(yōu)勢：

具有高電流能力的現(xiàn)有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

靈活性

高的可靠性

產(chǎn)品應用領域：

不間斷電源（UPS）

儲能系統(tǒng)

電機控制和驅動

商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

變頻器

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。

銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板

操作面板

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動機

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機

電源轉換器與反相器