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產(chǎn)品展示
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英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

型    號: FF600R12KT4
報    價: 1888
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英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
半導(dǎo)體功率模塊
自動化配件

詳細(xì)資料:

英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊

產(chǎn)品參數(shù)

 

FF600R12KE4  IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊,

帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發(fā)射極控制的 7 二極管。

62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊,采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發(fā)射極控制第7代二極管。也可提供預(yù)涂導(dǎo)熱介質(zhì)版本。

 

產(chǎn)品詳細(xì)信息

IGBT 模塊,Infineon

Infineon 系列 IGBT 模塊提供低切換損耗,用于高達(dá) 60 khz 頻率的切換。
IGBT 跨一系列電源模塊,如 ECONOPACK 封裝,1200V 時帶集電極開路發(fā)射器電壓;PrimePACK IGBT 半橋斬波器模塊,其 NTC 高達(dá) 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工業(yè)、商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模塊適用于硬切換和軟切換應(yīng)用,例如反相器、UPS 和工業(yè)驅(qū)動器。

封裝類型包括:62mm 模塊、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

 
 
 

IGBT 分立件和模塊,Infineon

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

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產(chǎn)品規(guī)格:

IGBT 類型:溝槽型場截止

配置:半橋

電壓 - 集射極擊穿:1200 V

電流 - 集電極 (Ic):600 A

電流 - 集電極截止:100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

輸入:標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻:無

工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊

供應(yīng)商器件封裝:AG-62MM

產(chǎn)品特征:

高功率密度

的 VCE,SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證

優(yōu)勢:北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

具有更高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

靈活性

高的可靠性

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:

不間斷電源(UPS)

儲能系統(tǒng)

電機控制和驅(qū)動

商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

變頻器

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IGBT是什么?

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)IGBT模塊FF600R12KE4

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點:擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

電動機

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機

電源轉(zhuǎn)換器與反相器

電感充電器

電磁爐

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第七代IGBT型號:

 

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ _B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ _B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ _B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

 

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7

F3L400R10W3S7F_ B11

F3L600R10W4S7F_ C22

FS3L200R10W3S7F_ B94

F3L 400R10W3S7_ _B11

FS3L200R10W3S7F_ B11

FP15R12W1T7_ B3

FP15R12W1T7

FP15R12W1T7P_ B11

FP25R12W2T7

FP50R12W2T7_ B11

FP25R12W1T7

FP50R12W2T7

FP35R12W2T7_ B11

FP10R12W1T7_ B11

FP35R12W2T7

FP25R12W1T7_ B11

FP25R12W2T7_ B11

FP15R12W1T7_ _B11

FP10R12W1T7_ B3

FP15R12W1T7P

FP100R12W3T7 B11

 

 

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